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韓国半導体大手のＳＫハイニックスが、現存するＤＲＡＭのうち最も微細な工程を適用した１０ナノ（ｎｍ・１ｎｍ＝１０億分の１メートル）級の第６世代ＤＲＡＭを世界で初めて開発した。この技術は人工知能（ＡＩ）半導体用高帯域幅メモリー（ＨＢＭ）など先端メモリーに適用されて、ＳＫハイニックスのＨＢＭ市場先導にはずみがつく見通しだ。
２９日、ＳＫハイニックスは１０ナノ級第６世代１ｃ工程を適用した１６ギガバイト（Ｇｂ）ＤＤＲ５ ＤＲＡＭの開発に成功したと明らかにした。「１ｃ」はＤＲＡＭ工程の微精度による世代区分で、１０ナノＤＲＡＭ１～３世代は１ｘ・１ｙ・１ｚ、４～６世代はそれぞれ１ａ・１ｂ・１ｃと表現される。現在使用されている最先端５世代１ｂＤＲＡＭを凌駕する次世代製品を先駆けて開発した。ＳＫハイニックスは「年内に量産準備を終えて来年から製品を供給する計画」と明らかにした。
１ｃ ＤＤＲ５ ＤＲＡＭは高性能と原価競争力を同時に備えているというのが会社側の説明だ。動作速度は８Ｇｂｐｓ（１秒当たり８ギガビット）で、前世代に比べて１１％高速化を実現し、電力効率は９％改善され、１ｃ ＤＤＲ５をデータセンターに適用する場合、電気料金を３０％節減することができるという。
メモリー半導体も超微細工程は極端紫外線（ＥＵＶ）露光装備を使用しているが、ＳＫハイニックスはＥＵＶ特定工程に新素材を開発して適用する一方、ＥＵＶを適用する工程を最適化して１ｃ ＤＤＲ５工程の生産性を前世代に比べて３０％以上引き上げたと明らかにした。
１ｃ ＤＲＡＭはＡＩアクセラレータ用ＨＢＭ、モバイル用低電力ＬＰＤＤＲ、グラフィック処理用ＧＤＤＲなど、ＤＲＡＭ基盤とした先端メモリー製品に適用されることになる。次々世代ＨＢＭであるＨＢＭ４Ｅ（第７世代）に使用される予定だ。ＡＩサーバーの需要増加とオンデバイスＡＩ製品の拡大などで先端ＤＲＡＭの需要が増加しているところだ。
中央日報日本語版 2024.08.30 06:42
https://japanese.joins.com/JArticle/323068 -
でもウリ達わーくににはサムスンがあるからSKからギチュチュ盗むニダ！ｳｪｰﾊｯﾊｯﾊ
SK「ヤメロォニダ！ぶっとばすニダ！」
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いつまでたっても「DRAM」だねぇw
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日本は早く製造装置を作るニダ
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横流しの疑惑は消えてないぞ
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soc主体でdram内包が進んだらどうするんだろう
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>>6
eDRAMを大容量にすると製造コスパが悪すぎて金ドブ行為 -
その半導体をバカでも韓国人でも作れるような装置を開発するのはどこの国でしょう？
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>>7
あっちの連中、装置の調整も開発国のエンジニア頼みなんで、コロナで行き来が出来なくなったら歩留まりが大きく悪化あと、それは懲りもせずに日本製フッ化水素酸横流しして、週刊国産化の純度低いの使ったからってのもあったと言われてるね
サムスンが何故か三ヶ月分足りなくなったと泣きついてきたとか -
まあ韓国人のできますだから
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韓国はDRAM好きだねｗ
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メモリー強国ニダ。
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開発に成功・・
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研究の発表は世界から検証されるけど
開発発表は商品化されるまで調べようがないから言いたい放題 -
週刊国産化は株価吊り上げの情報操作と補助金詐欺だったしな
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で
アチアチ消費電力の多いチップ -
開発遅れ他社に出し抜かれるﾆﾀﾞ
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韓国の世界初ってそのあと量産化されて市場に流通したことある？
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>>18
実験室レベルで成功したとホルホルして株価が上がっても、続報なくてそれきりw -
日本は20nmクラスですら全くつくれてないのに
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歩留まりは気にしないニダ
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>>20
確かに日本はそもそも作れないから歩留まりとか関係無いな -
韓国がサプライチェーンから外されたから、日本の手に戻るな
元々アメリカが日本が復讐に来ると怯えて日本からとりあげて、中韓に投げ与えたけど、今になってしまったと思ってる産業なんでね -
日本はリスキーな投資の必要な製造は止めて素材と製造装置にしたからな
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素材と製造機器押さえるのが一番効率がいいな
組み立てだけなら人件費安いところが最強だけど -
>>25
電力も国策ダンピングだし -
マイクロン、サムスン、SKのDRAM血みどろの戦いよw
nandはキオクシアに任せてDRAM争いをしてなさいww -
10ナノって台湾勢から大分遅れてるな
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実際のところ、線幅はTSMCでも１０ナノはない。
ところで、HBM以外のDRAMのスポット価格下落。タイムラグあるとしても固定価格も下落可能性あり。来年はさえないかもしれんね。 -
できました＝他社の技術パクりおわりました
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